在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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功能 | 解调器,接收器 |
LO 频率 | 7.2MHz |
供应商器件封装 | 64-SPQFP(10x10),64-SQFP |
封装/外壳 | 64-LQFP |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
电流 - 电源 | 6mA |
电压 - 电源 | 2.7V ~ 3.6V |
增益 | 20dB |
包装 | 托盘 |
生命周期 | EndOfLife |
封装代码 | LFQFP |
商用集成电路类型 | CONSUMERCIRCUIT |
技术 | CMOS |
功能数量 | 1 |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | S-PQFP-G64 |
JESD-609代码 | e6 |
湿度敏感等级 | 3 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 64 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLATPACK,LOWPROFILE,FINEPITCH |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TINBISMUTH |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 500µm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 10mm |
长度 | 10mm |
座面最大高度 | 1.7mm |
包装说明 | LFQFP, |
针数 | 64 |
制造商包装代码 | 131AK |
是否符合REACH标准 | compliant |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.470203 |
HCTF12001 | AMPHENOL | 13329 | 1.470000 |
HCTF21601 | AMPHENOL | 8325 | 1.369625 |
M24LR16E-RDW6T/2 | STM | 4000 | 5.812736 |
AC-CP000382 | AMPHENOL | 2101 | 0.232044 |
ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |