在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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LCMX02-256HC-4SG32I | LATTICE/莱迪斯 | 0 | 1 卷 | 中国内地:13-14工作日 中国香港:13-14工作日 |
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在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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M54123LG-S08-R | UTC | 27426 | 0.442800 |
HEF4053BT | NEXPERIA | 22406 | 0.560880 |
SY8113IADC | SILERGY | 16184 | 0.575640 |
MCP3201-BI/SN | MICROCHIP TECHNOLOGY | 182 | 23.521914 |
MCP4822-E/P | MICROCHIP TECHNOLOGY | 121 | 29.707306 |
X9C103SZ | RENESAS ELECTRONICS | 32 | 64.577794 |
MCP3202-BI/P | MICROCHIP TECHNOLOGY | 16 | 32.930680 |
MCP4725A0T-E/CH | MICROCHIP | 10 | 9.709335 |
MCP3002-I/P | MICROCHIP TECHNOLOGY | 5 | 25.786988 |
MCP3421A0T-E/CH | MICROCHIP | 4 | 23.790579 |