在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 100-CSBGA（8x8） |
| LAB/CLB 数 | 32 |
| 封装/外壳 | 100-LFBGA，CSPBGA |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | LCMXO256 |
| I/O 数 | 78 |
| 工作温度 | -40°C ~ 100°C（TJ） |
| 电压 - 电源 | 1.71V ~ 3.465V |
| 逻辑元件/单元数 | 256 |
| 系列 | MachXO |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom | 1.8V |
| Number of Inputs | 78 |
| Number of Outputs | 78 |
| Number of Logic Cells | 256 |
| Number of CLBs | 32 |
| Programmable Logic Type | FIELDPROGRAMMABLEGATEARRAY |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Package Shape | SQUARE |
| Organization | 32CLBS |
| Power Supplies | 1.8/3.3V |
| Supply Voltage-Max | 3.465V |
| Supply Voltage-Min | 1.71V |
| JESD-30 Code | S-PBGA-B100 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| Operating Temperature-Max | 100°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 100 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | LFBGA |
| Package Equivalence Code | BGA100,14X14,20 |
| Package Style | GRIDARRAY,LOWPROFILE,FINEPITCH |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | BALL |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Width | 8mm |
| Length | 8mm |
| Seated Height-Max | 1.35mm |
| Ihs Manufacturer | LATTICESEMICONDUCTORCORP |
| Part Package Code | BGA |
| Package Description | CSBGA-100 |
| Pin Count | 100 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 | 1.8V |
| 输入次数 | 78 |
| 输出次数 | 78 |
| 逻辑单元数量 | 256 |
| 可配置逻辑块数量 | 32 |
| 可编程逻辑类型 | FIELDPROGRAMMABLEGATEARRAY |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 封装形状 | SQUARE |
| 组织 | 32CLBS |
| 电源 | 1.8/3.3V |
| 最大供电电压 | 3.465V |
| 最小供电电压 | 1.71V |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B100 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 100°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 100 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFBGA |
| 封装等效代码 | BGA100,14X14,20 |
| 封装形式 | GRIDARRAY,LOWPROFILE,FINEPITCH |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 8mm |
| 长度 | 8mm |
| 座面最大高度 | 1.35mm |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | CSBGA-100 |
| 针数 | 100 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.010476 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.292755 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 21.018614 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2006 | 15.421266 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.976287 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
