在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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LD1086PUR | ST/意法 | 低压差稳压器 1.5A Adj Fixed Reg 1.3V at 1.5A 3 Term | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
Operating Temp Range | -40°C to +125°C |
Tolerance (%) | ±1% |
封装类型 | DFN-8 |
Load Regulation (%) | 0.1% |
Output Current-Max | 1.5A |
Input Voltage-Max | 30V |
No. of Outputs | Single |
Dropout Voltage-Max | 1.5V |
Regulator Topology | Adjustable |
Current - Limit | 2.3A |
Line Regulation (%) | 0.015% |
生命周期 | Active |
标称回动电压 1 | 1.3V |
最大输出电流 1 | 1.5A |
输出次数 | 1 |
表面贴装 | YES |
可调性 | ADJUSTABLE |
最大回动电压 1 | 1.5V |
最大电网调整率 (%/V) | 0.014 |
最大负载调整率 (%) | 0.4% |
功能数量 | 1 |
最大输出电压 1 | 28V |
最小输出电压 1 | 1.25V |
技术 | BIPOLAR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N8 |
认证状态 | NotQualified |
湿度敏感等级 | 1 |
工作温度TJ-Max | 125°C |
工作温度TJ-Min | -40°C |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HVSON |
封装等效代码 | SOLCC8,.16,32 |
封装形状 | SQUARE |
包装方法 | TR |
端子形式 | NOLEAD |
端子节距 | 800µm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 4mm |
长度 | 4mm |
座面最大高度 | 1mm |
包装说明 | HVSON,SOLCC8,.16,32 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
特征 | Adjustable,Positive,SingleOutput,Ldo |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
1843606 | PHOENIX | 731 | 1.928640 |
1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 158.157900 |
FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
J42FSC-02V-KX | JST | 12 | 3.616200 |
CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |