在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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LD59030DTPU12R | ST/意法 | 低压差稳压器 POWER MANAGEMENT | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
Operating Temp Range | -40°C to +125°C |
Tolerance (%) | ±1% |
封装类型 | DFN-4 |
Quiescent Current | 28µA |
Output Current-Max | 300mA |
Input Voltage-Max | 5.5V |
No. of Outputs | Single |
Input Voltage-Min | 1.5V |
Dropout Voltage-Max | 230mV |
Regulator Topology | Fixed |
Output Voltage Fixed | 1.2V |
Current - Limit | 500mA |
Line Regulation (%) | 0.015% |
Load Regulation | 20mV |
Output Noise | 70µV |
稳压器数 | 1 |
电流 - 输出 | 300mA |
供应商器件封装 | 4-DFN(1x1) |
封装/外壳 | 4-XDFN 裸露焊盘 |
电压 - 输出(最小值/固定) | 1.2V |
控制特性 | 使能,软启动 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
PSRR | 75dB ~ 55dB(1kHz ~ 100kHz) |
压降(最大值) | 0.49V @ 300mA |
保护功能 | 超温 |
基本零件编号 | LD59030 |
电流 - 电源(最大值) | 305µA |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
输出配置 | 正 |
输出类型 | 固定 |
电流 - 静态(Iq) | 40µA |
电压 - 输入(最大值) | 5.5V |
在线目录 | < 1.75V Output |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
包装 | 剪切带(CT) |
包装 | Digi-Reel® |
封装 | DFN-4 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
输出电流IO | 300 mA |
输出电压 | 1.2 V |
极性 | Positive |
回动电压 | 155 mV |
最小输入电压 | 1.5 V |
最大输入电压 | 5.5 V |
静态电流 | 305 uA |
输出类型 | Fixed |
包装 | Reel, Cut Tape |
生命周期 | Active |
最大输入电压 | 5.5V |
最小输入电压 | 1.5V |
标称输出电压 1 | 1.2V |
标称回动电压 1 | 155mV |
最大输出电流 1 | 300mA |
输出次数 | 1 |
表面贴装 | YES |
可调性 | FIXED |
最大回动电压 1 | 230mV |
最大绝对输入电压 | 7V |
最大电网调整率 | 0.00198% |
功能数量 | 1 |
最大输出电压 1 | 1.224V |
最小输出电压 1 | 1.176V |
最大电压容差 | 2% |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N4 |
工作温度TJ-Max | 125°C |
工作温度TJ-Min | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HVSON |
封装等效代码 | SOLCC4,.04,25 |
封装形状 | SQUARE |
包装方法 | TR |
端子形式 | NOLEAD |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 1mm |
长度 | 1mm |
座面最大高度 | 400µm |
包装说明 | HVSON,SOLCC4,.04,25 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
特征 | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
MSL | MSL 1 -无限制 |
汽车质量标准 | - |
工作温度最高值 | 125°C |
固定输出电压标称值 | 1.2V |
可调输出电压, 最低 | - |
压差典型值@电流 | 155mV |
LDO调节器封装类型 | DFN |
可调输出电压, 最高 | - |
输出电流 | 300mA |
针脚数 | 4引脚 |
输出电压最小值 | - |
输出电压最大值 | - |
压降 | 155mV |
输入电压最小值 | 1.5V |
工作温度最小值 | -40°C |
输入电压最大值 | 5.5V |
输出电压标称值 | 1.2V |
IC 外壳 / 封装 | DFN |
产品范围 | 1.2V 300mA LDO Voltage Regulators |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
---|---|---|---|
AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87252 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 7797 | 0.400625 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |