在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
        
        | 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 | 
|---|---|---|---|---|---|---|
| M031TB0AE | NUVOTON/新唐 | 0 | 490 | 中国内地:12-16工作日  中国香港:9-13工作日  | 
                         查看价格 | 
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active | 
| Bit Size | 32 | 
| Speed | 48MHz | 
| Clock Frequency-Max | 48.48MHz | 
| Number of I/O Lines | 27 | 
| Surface Mount | YES | 
| Supply Voltage-Nom | 2.5V | 
| DAC Channels | NO | 
| DMA Channels | YES | 
| Has ADC | YES | 
| PWM Channels | YES | 
| Supply Voltage-Max | 3.6V | 
| Supply Voltage-Min | 1.8V | 
| Number of Terminals | 32 | 
| Package Code | HVQCCN | 
| Package Shape | SQUARE | 
| Terminal Form | NOLEAD | 
| Terminal Pitch | 400µm | 
| Terminal Position | QUAD | 
| Width | 4mm | 
| Length | 4mm | 
| Ihs Manufacturer | NUVOTONTECHNOLOGYCORP | 
| Reach Compliance Code | compliant | 
| HTS Code | 8542.31.00.01 | 
| Date Of Intro | 2019-01-08 | 
                            在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
                            超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
                            根据最新数据显示,今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
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                            据知情人士透露,美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证,允许其向中东大规模运送人工智能(AI)加速器,同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 | 
|---|---|---|---|
| 206807-0321 | MOLEX | 4844000 | 0.458621 | 
| 53015-0510 | MOLEX | 70655 | 1.034520 | 
| 39-28-8060 | MOLEX | 26087 | 4.628866 | 
| 70246-1001 | MOLEX | 24605 | 4.909390 | 
| 75586-0010 | MOLEX | 8800 | 56.070403 | 
| 73403-5072 | MOLEX | 4382 | 16.691442 | 
| 39-28-1103 | MOLEX | 2048 | 2.772420 | 
| 74723-0001 | MOLEX | 1277 | 60.950572 | 
| 70246-1001 | MOLEX | 3 | 10.371200 | 
| 39-29-1088 | MOLEX | 1 | 4.994292 |