在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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M10042040108X0IWAY | RENESAS/瑞萨 | 0 | 225 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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规格参数 | |
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包装 | Tray |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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CH340N | WCH | 23208 | 2.129900 |
ST1480ACDR | STM | 10000 | 6.324136 |
UT3232G-S16-R | 友顺(UTC) | 7227 | 1.750847 |
BU90LV047A-E2 | ROHM | 2500 | 4.517240 |
ST485BDR | STM | 2500 | 2.710344 |
TEA1062NG-S16-R | 友顺(UTC) | 2277 | 2.257787 |
SI8642ED-B-ISR | SILICON LABS | 288 | 13.570000 |
75232G-P20-R | UTC | 230 | 0.854000 |
ST16C2552CJ44-F | EXAR | 202 | 39.493584 |
MAX9180EXT+T | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS | 102 | 18.698400 |