在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| M24C08-DRDW8TP/K | ST/意法 | M24C08 DRDW8TP/K | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 存储容量 | 8Kb (1K x 8) |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字,页 | 4ms |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | M24C08 |
| 访问时间 | 450ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C(TA) |
| 电压 - 电源 | 1.8V ~ 5.5V |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q100 |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | M24C08-DRE |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 剪切带(CT) |
| 时钟频率 | 1MHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 包装 | 带卷(TR) |
| 封装 | TSSOP-8 |
| 最大时钟频率 | 1 MHz |
| 接口类型 | Serial, 2-Wire, I2C |
| 组织 | 1 k x 8 |
| 访问时间 | 450 ns |
| 存储容量 | 8 kbit |
| 数据保留 | 100 Year |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最小 | 1.8 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 包装 | Cut Tape, Reel |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| CH340N | WCH | 21494 | 2.093320 |
| CH340G | WCH | 18724 | 2.093320 |
| CH340K | WCH | 12670 | 2.145240 |
| TP75176E-SR | 3PEAK | 6326 | 0.813740 |
| CH340B | WCH | 5407 | 2.655000 |
| ILX3232TSDT | IKSEMICON | 5000 | 1.915661 |
| ILX3485DT | IKSEMICON | 2500 | 1.471005 |
| ILX3232DT | IKSEMICON | 2500 | 1.254342 |
| CH341T | WCH | 570 | 6.159600 |
| SI8642ED-B-ISR | SILICON LABS | 235 | 13.345800 |