在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| M24C32-DRDW8TP/K | ST/意法 | M24C32 DRDW8TP/K | 38 | 4000 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 存储容量 | 32Kb （4K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 4ms |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | M24C32 |
| 访问时间 | 450ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.8V ~ 5.5V |
| 系列 | 汽车级，AEC-Q100 |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | M24C32-DRE |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 时钟频率 | 1MHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 封装 | TSSOP-8 |
| 最大时钟频率 | 400 kHz |
| 接口类型 | 2-Wire, I2C |
| 组织 | 4 k x 8 |
| 访问时间 | 900 ns |
| 存储容量 | 32 kbit |
| 数据保留 | 40 Year |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最小 | 2.5 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| 芯片安装 | 表面安装 |
| 存储器接口类型 | 串行I2C (2-线) |
| 时钟频率最大值 | 1MHz |
| EEPROM 内存配置 | 4K x 8位 |
| 存储密度 | 32Kbit |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 针脚数 | 8Pins |
| 工作温度最高值 | 105°C |
| 接口 | 串行I2C (2-线) |
| 记忆配置 | 4K x 8位 |
| 封装类型 | TSSOP |
| 存储器容量 | 32Kbit |
| IC 外壳 / 封装 | TSSOP |
| 电源电压最小值 | 1.7V |
| 电源电压最大值 | 5.5V |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| CH340N | WCH | 21494 | 2.093320 |
| CH340G | WCH | 18724 | 2.093320 |
| CH340B | WCH | 5407 | 2.655000 |
| UT3232G-S16-R | 友顺(UTC) | 3156 | 1.750847 |
| TEA1062NG-S16-R | 友顺(UTC) | 2277 | 2.844219 |
| TP8485E-SR | 思瑞浦 | 1095 | 1.782000 |
| MAX13223EEUP+ | MAXIM | 268 | 16.945372 |
| SI8642ED-B-ISR | SILICON LABS | 235 | 13.345800 |
| USB3320C-EZK | MICROCHIP/微芯 | 200 | 7.200000 |
| 70V7519S133BFI | RENESAS TECHNOLOGY | 5 | 1502.573345 |
