在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| M25P80-VMN6TP | MICRON/美光 | 13 | 1 | 中国内地：3-5工作日 |
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| M25P80VMN6TP | MICRON/镁光 | 0 | 1000 | 中国内地：8-12工作日 |
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| M25P80-VMN6TP | ST/意法 | 0 | 800 | 中国内地：4-7工作日 中国香港：3-5工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Memory Density | 8.3886Mbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 1MX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3V |
| Power Supplies | 3/3.3V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 50MHz |
| Memory IC Type | FLASH |
| Data Retention Time-Min | 20 |
| Endurance | 100000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 1000000 |
| Number of Words | 1.0486M |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Programming Voltage | 2.7V |
| Serial Bus Type | SPI |
| Standby Current-Max | 10µA |
| Supply Current-Max | 15µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Type | NORTYPE |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 15ms |
| Write Protection | HARDWARE/SOFTWARE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e4 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP8,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | NICKELPALLADIUMGOLD |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.75mm |
| Length | 4.9mm |
| Width | 3.9mm |
| Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics |
| Source Content uid | M25P80-VMN6TP |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | 0.150INCH,ROHSCOMPLIANT,SOP-8 |
| Pin Count | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| M24C64-FMN6TP | STMICROELECTRONICS | 7500 | / |
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5300 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3100 | 0.815100 |
| DF1B-7S-2.5R | HRS | 1000 | 0.392000 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 700 | 0.954180 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 2.978080 |
| DF62B-3EP-2.2C | HRS | 300 | 1.403360 |
