在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| M29W128FL70N6E | ST/意法 | 0 | 20 | 中国内地：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Memory Density | 134.2177Mbit |
| Memory Width | 16 |
| Sector Size | 64K |
| Organization | 8MX16 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3V |
| Power Supplies | 3/3.3V |
| Access Time-Max | 70ns |
| Memory IC Type | FLASH |
| Additional Feature | 100,000PROGRAM/ERASECYCLES |
| Alternate Memory Width | 8 |
| Command User Interface | YES |
| Common Flash Interface | YES |
| Data Polling | YES |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Sectors/Size | 256 |
| Number of Words Code | 8000000 |
| Number of Words | 8.3886M |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Page Size | 8/16words |
| Parallel/Serial | PARALLEL |
| Programming Voltage | 3V |
| Ready/Busy | YES |
| Standby Current-Max | 100µA |
| Supply Current-Max | 20µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Toggle Bit | YES |
| Type | NORTYPE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G56 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3/e6 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
| Number of Terminals | 56 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TSOP1 |
| Package Equivalence Code | TSSOP56,.8,20 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE,THINPROFILE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN/TINBISMUTH |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.2mm |
| Length | 18.4mm |
| Width | 14mm |
| Source Content uid | M29W128FL70N6E |
| Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
| Part Package Code | TSOP |
| Package Description | 14X20MM,LEADFREE,PLASTIC,TSOP-56 |
| Pin Count | 56 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.403320 |
| BAV99 A7 | 长电/长晶(JCET) | 91165 | 0.138740 |
| BAT54C KL3 | 长电/长晶(JCET) | 38926 | 0.204120 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 16502 | 0.351780 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.124072 |
| TD62308AF | TOSHIBA | 3724 | 2.828308 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.792215 |
| 43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.732707 |
| 43045-2402 | MOLEX | 1509 | 52.706899 |
| XLP-16V | JST | 1 | 3.321990 |
