在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| M3406-ADJ | CASC/民芯 | 0 | 3000 | 中国内地:6-9工作日 |
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| M3406-ADJ | AEROSEMI/航天民芯 | 0 | 3000 盘 | 中国内地:4-7工作日 |
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| 规格参数 | |
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| 规格参数正在更新中... |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| CJ78L05 | 长电/长晶(JCET) | 502805 | 0.357890 |
| TL494G-S16-R | UTC | 41942 | 0.599010 |
| CJ78L12 | 长电/长晶(JCET) | 29186 | 0.365690 |
| TBD62003AFWG(Z,EHZ | TOSHIBA | 17055 | 2.058101 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 16027 | 0.298890 |
| TPD2007F(EL,F) | TOSHIBA | 12300 | 10.262750 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2933 | 0.747500 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2326 | 0.417040 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1268 | 0.641810 |
| L78L05ABD13TR | ST | 810 | 0.340710 |