在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| M3933/14-18N | AMPHENOL/安费诺 | 0 | 25 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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| M3933/14-18N | CINCH | M3933/14 18N | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 最大频率 | 18 GHz |
| 阻抗 | 50 Ohms |
| 最大衰减 | 16 dB |
| 型式 | Male / Female |
| 射频系列 | SMA |
| 包装 | Bulk |
| 特性阻抗 | 50Ω |
| 标称衰减 | 16dB |
| 最大输入功率 (CW) | 33.01dBm |
| 最大电压驻波比 | 1.25 |
| 最大工作频率 | 12.4GHz |
| 射频/微波设备类型 | FIXEDATTENUATOR |
| 其他特性 | SMA-F;SMA-M,I/PPOWER-MAX(PEAK)=200W |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -55°C |
| 构造 | COAXIAL |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.316216 |
| HCTF12001 | AMPHENOL | 5718 | 1.470000 |
| M24LR16E-RDW6T/2 | STM | 4000 | 5.769621 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 3194 | 1.369625 |
| AC-CP000382 | AMPHENOL | 66 | 0.232044 |
| ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
| ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
| TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
| TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
| KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |