在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| N25Q128A13E1240F | MICRON/美光 | 0 | 1 | 中国内地：3-5工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Memory Density | 134.2177Mbit |
| Memory Width | 1 |
| Organization | 128MX1 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3V |
| Power Supplies | 3/3.3V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 108MHz |
| Memory IC Type | FLASH |
| Data Retention Time-Min | 20 |
| Endurance | 100000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 128000000 |
| Number of Words | 134.2177M |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Programming Voltage | 3V |
| Serial Bus Type | SPI |
| Standby Current-Max | 100µA |
| Supply Current-Max | 20µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Type | NORTYPE |
| Write Protection | HARDWARE/SOFTWARE |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B24 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 24 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TBGA |
| Package Equivalence Code | BGA24,5X5,40 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | GRIDARRAY,THINPROFILE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Tin/Silver/Copper(Sn/Ag/Cu) |
| Terminal Form | BALL |
| Terminal Pitch | 1mm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Seated Height-Max | 1.2mm |
| Length | 8mm |
| Width | 6mm |
| Ihs Manufacturer | MICRONTECHNOLOGYINC |
| Package Description | TBGA,BGA24,5X5,40 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 包装说明 | TBGA, BGA24,5X5,40 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 搜索热度 | 825 |
| 风险等级 | 9.51 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 108 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B24 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TBGA |
| 封装等效代码 | BGA24,5X5,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 6 mm |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5200 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3000 | 0.815100 |
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.505600 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 500 | 0.954180 |
| 1843606 | PHOENIX | 250 | 1.928640 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
