在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Bus Compatibility | IAPX286 |
| Address Bus Width | 18 |
| Clock Frequency-Max | 20MHz |
| Surface Mount | YES |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| uPs/uCs/Peripheral ICs Type | MEMORYCONTROLLER,DRAM |
| Technology | CMOS |
| Additional Feature | 5PROGRAMMABLEREFRESHMODES |
| Boundary Scan | NO |
| Low Power Mode | YES |
| Memory Organization | 1MX8 |
| Number of Banks | 2 |
| Power Supplies | 5V |
| Supply Current-Max | 50mA |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 4.5V |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | S-PQCC-J68 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 68 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | QCCJ |
| Package Equivalence Code | LDCC68,1.0SQ |
| Package Shape | SQUARE |
| Package Style | CHIPCARRIER |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | JBEND |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | QUAD |
| Seated Height-Max | 4.83mm |
| Width | 24.2mm |
| Length | 24.2mm |
| Ihs Manufacturer | INTELCORP |
| Package Description | PLASTIC,LCC-68 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.31.00.01 |
| Part Package Code | LCC |
| Pin Count | 68 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 总线兼容性 | IAPX286 |
| 地址总线宽度 | 18 |
| 最大时钟频率 | 20MHz |
| 表面贴装 | YES |
| 标称供电电压 | 5V |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MEMORYCONTROLLER,DRAM |
| 技术 | CMOS |
| 其他特性 | 5PROGRAMMABLEREFRESHMODES |
| 边界扫描 | NO |
| 低功率模式 | YES |
| 内存组织 | 1MX8 |
| 区块数量 | 2 |
| 电源 | 5V |
| 最大压摆率 | 50mA |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 68 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIPCARRIER |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | JBEND |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 座面最大高度 | 4.83mm |
| 宽度 | 24.2mm |
| 长度 | 24.2mm |
| 包装说明 | PLASTIC,LCC-68 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.31.00.01 |
| 零件包装代码 | LCC |
| 针数 | 68 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
