在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NAND256W3A2BN6E | MICRON/镁光 | 288 | 576 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
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| NAND256W3A2BN6E | MICRON/镁光 | 123 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| NAND256W3A2BN6E | MICRON/美光 | 0 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 48-TSOP |
| 存储容量 | 256Mb （32M x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 停產 |
| 写周期时间 - 字，页 | 50ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 基本零件编号 | NAND256-A |
| 访问时间 | 50ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 2.7V ~ 3.6V |
| 技术 | 闪存 - NAND |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | TSOP-48 |
| 针数 | 48 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 搜索热度 | 3789 |
| 风险等级 | 9.39 |
| 最长访问时间 | 35 ns |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 2K |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 页面大小 | 512 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 部门规模 | 16K |
| 最大待机电流 | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 切换位 | NO |
| 类型 | SLC NAND TYPE |
| 宽度 | 12 mm |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| 1843606 | PHOENIX | 256 | 1.928640 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
