在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NANO112SC2AN | NUVOTON/新唐 | 0 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 1.8V ~ 3.6V |
| 连接性 | I²C，IrDA，LINbus，智能卡，SPI，UART/USART |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
| 供应商器件封装 | 64-LQFP（7x7） |
| 速度 | 32MHz |
| 程序存储容量 | 32KB（32K x 8） |
| RAM 容量 | 8K x 8 |
| 封装/外壳 | 64-LQFP |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| I/O 数 | 58 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 振荡器类型 | 内部 |
| 程序存储器类型 | 闪存 |
| 系列 | NuMicro™ Nano112 |
| 核心处理器 | ARM® Cortex®-M0 |
| 数据转换器 | A/D 7x12b |
| 在线目录 | NuMicro® Nano102/112 |
| 核心尺寸 | 32-位 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| B04P-HL-A | JST | 9322 | 2.772420 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.086774 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 6317 | 1.534000 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.772999 |
| XLP-16V | JST | 2600 | 1.687560 |
| S1M-E3/61T | VISHAY | 1782 | 0.269500 |
| 43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.691442 |
| TLE4250-2G | INFINEON | 636 | 3.134040 |
| M24C02-WDW6TP | STMICROELECTRONICS | 62 | 0.863091 |
| SZ1SMB24AT3G | LITTELFUSE | 7 | 2.410800 |
