在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| OA4MPA33Q | ST/意法 | CONDITIONING & INTERFACES | 0 | 10 | 中国内地：8-12工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -40°C to +125°C |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| 封装类型 | QFN-16 |
| No of Channels | 4 |
| Supply Voltage | 1.5V to 5.5V |
| Supply Current | 10µA |
| Output Current | 56mA |
| Output Type | Rail to Rail |
| Input Offset Voltage-Max | 200µV |
| Low Noise | 96nV/√Hz |
| DC Voltage Gain | 95dB |
| Amplifier Type | CMOS |
| Gain Bandwidth Product | 150kHz |
| Phase Margin | 45° |
| Average Bias Current-Max | 10pA |
| Power Supply Rejection Ratio | 90dB |
| Common Mode Rejection Ratio | 94dB |
| Slew Rate-Nom | 0.06V/µs |
| 供应商器件封装 | 16-QFN（3x3） |
| 封装/外壳 | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 放大器类型 | CMOS |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | OA4MP |
| 电路数 | 4 |
| 电流 - 输出/通道 | 56mA |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 输出类型 | 满摆幅 |
| 电流 - 电源 | 10µA |
| 压摆率 | 0.06V/µs |
| 在线目录 | General Purpose |
| 增益带宽积 | 150kHz |
| 电压 - 电源，单/双（±） | 1.5V ~ 5.5V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 电流 - 输入偏置 | 1pA |
| 电压 - 输入失调 | 200µV |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 零件状态 | 在售 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 封装 | QFN-16 |
| 工作电源电流 | 10 uA |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | 1.5 V |
| Ib - 输入偏流 | 300 pA |
| Vos - 输入偏置电压 | 1.2 mV |
| 每个通道的输出电流 | 56 mA |
| 关闭 | No Shutdown |
| CMRR - 共模抑制比 | 100 dB |
| GBP-增益带宽产品 | 150 kHz |
| SR - 转换速率 | 60 mV/us |
| en - 输入电压噪声密度 | 100 nV/sqrt Hz |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| 标称压摆率 | 0.04V/us |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 300pA |
| 功能数量 | 4 |
| 放大器类型 | OPERATIONALAMPLIFIER |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8V |
| 技术 | CMOS |
| 供电电压上限 | 6V |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 标称均一增益带宽 | 120kHz |
| JESD-30 代码 | S-XQCC-N16 |
| 标称共模抑制比 | 88dB |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVQCCN |
| 封装形状 | SQUARE |
| 包装方法 | TR |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | QUAD |
| 座面最大高度 | 1mm |
| 宽度 | 3mm |
| 长度 | 3mm |
| 包装说明 | HVQCCN, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.33.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 芯片安装 | 表面安装 |
| 轨至轨 | 轨至轨输入/输出(RRIO) |
| 合规 | - |
| 输入偏置电流 | 1nA |
| 通道数 | 4放大器 |
| 输入偏移电压 | 200µV |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 针脚数 | 16Pins |
| 工作温度最高值 | 125°C |
| 典型压摆率 | 0.06V/µs |
| IC 外壳 / 封装 | QFN-EP |
| 电源电压范围 | 1.5V 至 5.5V |
| 产品范围 | - |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MC34072G-S08-R | UTC | 33333 | 0.499380 |
| QCPL-7847-500E | 安华高(AVAGO) | 20023 | 31.733254 |
| HCPL-7800A-500E | 安华高(AVAGO) | 4805 | 65.107994 |
| LM324DT | STMICROELECTRONICS | 4359 | 0.622250 |
| TS321ILT | STMICROELECTRONICS | 2663 | 1.133076 |
| TL072CDT | STMICROELECTRONICS | 2180 | 0.795564 |
| ACPL-C790-500E | 安华高(AVAGO) | 188 | 25.167786 |
| TSM103WAIDT | STMICROELECTRONICS | 75 | 3.088284 |
| MCP6561T-E/LT | MICROCHIP | 36 | 3.745842 |
| MCP6001UT-I/OT | MICROCHIP | 13 | 2.560368 |
