在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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OA4MPA33Q | ST/意法 | CONDITIONING & INTERFACES | 0 | 1100 | 中国内地:2-5工作日 中国香港:1-3工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
Operating Temp Range | -40°C to +125°C |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
封装类型 | QFN-16 |
No of Channels | 4 |
Supply Voltage | 1.5V to 5.5V |
Supply Current | 10µA |
Output Current | 56mA |
Output Type | Rail to Rail |
Input Offset Voltage-Max | 200µV |
Low Noise | 96nV/√Hz |
DC Voltage Gain | 95dB |
Amplifier Type | CMOS |
Gain Bandwidth Product | 150kHz |
Phase Margin | 45° |
Average Bias Current-Max | 10pA |
Power Supply Rejection Ratio | 90dB |
Common Mode Rejection Ratio | 94dB |
Slew Rate-Nom | 0.06V/µs |
供应商器件封装 | 16-QFN(3x3) |
封装/外壳 | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
放大器类型 | CMOS |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | OA4MP |
电路数 | 4 |
电流 - 输出/通道 | 56mA |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
输出类型 | 满摆幅 |
电流 - 电源 | 10µA |
压摆率 | 0.06V/µs |
在线目录 | General Purpose |
增益带宽积 | 150kHz |
电压 - 电源,单/双(±) | 1.5V ~ 5.5V |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 剪切带(CT) |
电流 - 输入偏置 | 1pA |
电压 - 输入失调 | 200µV |
包装 | Digi-Reel® |
零件状态 | 在售 |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 带卷(TR) |
封装 | QFN-16 |
工作电源电流 | 10 uA |
电源电压-最大 | 5.5 V |
电源电压-最小 | 1.5 V |
Ib - 输入偏流 | 300 pA |
Vos - 输入偏置电压 | 1.2 mV |
每个通道的输出电流 | 56 mA |
关闭 | No Shutdown |
CMRR - 共模抑制比 | 100 dB |
GBP-增益带宽产品 | 150 kHz |
SR - 转换速率 | 60 mV/us |
en - 输入电压噪声密度 | 100 nV/sqrt Hz |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
包装 | Reel, Cut Tape |
标称压摆率 | 0.04V/us |
最大平均偏置电流 (IIB) | 300pA |
功能数量 | 4 |
放大器类型 | OPERATIONALAMPLIFIER |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8V |
技术 | CMOS |
供电电压上限 | 6V |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
标称均一增益带宽 | 120kHz |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N16 |
标称共模抑制比 | 88dB |
最高工作温度 | 125°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 16 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | HVQCCN |
封装形状 | SQUARE |
包装方法 | TR |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NOLEAD |
端子节距 | 500µm |
端子位置 | QUAD |
座面最大高度 | 1mm |
宽度 | 3mm |
长度 | 3mm |
包装说明 | HVQCCN, |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.33.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
芯片安装 | 表面安装 |
轨至轨 | 轨至轨输入/输出(RRIO) |
合规 | - |
输入偏置电流 | 1nA |
通道数 | 4放大器 |
输入偏移电压 | 200µV |
工作温度最小值 | -40°C |
针脚数 | 16Pins |
工作温度最高值 | 125°C |
典型压摆率 | 0.06V/µs |
IC 外壳 / 封装 | QFN-EP |
电源电压范围 | 1.5V 至 5.5V |
产品范围 | - |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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QCPL-7847-500E | 安华高(AVAGO) | 20049 | 31.785495 |
MC34072G-S08-R | UTC | 17082 | 0.526440 |
HCPL-7800A-500E | 安华高(AVAGO) | 4805 | 62.007687 |
TS321ILT | STMICROELECTRONICS | 2663 | 1.133076 |
TL072CDT | STMICROELECTRONICS | 2180 | 0.795564 |
ACPL-C790-500E | 安华高(AVAGO) | 724 | 23.969337 |
TSM103WAIDT | STMICROELECTRONICS | 75 | 3.088284 |
MCP6561T-E/LT | MICROCHIP | 36 | 3.745842 |
MCP6001UT-I/OT | MICROCHIP | 13 | 2.560368 |
LM324DT | ST/意法 | 11 | 2.160000 |