在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| OP07EPZ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | IC: operational amplifier; 600kHz; Ch: 1; DIP8; ±3÷18VDC; tube | 2526 | 50 | 中国内地：4-6周 |
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| OP07EP | TI/德州仪器 | OP07 Precision Low Offset Operational Amplifier | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| OP07EP | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | Verical，86128521 | 0 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 放大器类型 | 通用 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | OP07 |
| 电路数 | 1 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 压摆率 | 0.3V/µs |
| 增益带宽积 | 600kHz |
| 电压 - 电源，单/双（±） | ±3V ~ 18V |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 电流 - 输入偏置 | 1.2nA |
| 电压 - 输入失调 | 30µV |
| 生命周期 | Obsolete |
| 最大输入失调电压 | 130µV |
| 标称压摆率 | 0.3V/us |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 5.5nA |
| 功能数量 | 1 |
| 放大器类型 | OPERATIONALAMPLIFIER |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15V |
| 技术 | BIPOLAR |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 4nA |
| 频率补偿 | YES |
| 低-失调 | YES |
| 负供电电压上限 | -22V |
| 电源 | +-15V |
| 最小摆率 | 0.1V/us |
| 供电电压上限 | 22V |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 标称均一增益带宽 | 600kHz |
| 最小电压增益 | 150000 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 标称共模抑制比 | 123dB |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 4.572mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 长度 | 9.375mm |
| 包装说明 | DIP,DIP8,.3 |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.33.00.01 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 针数 | 8 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MC34072G-S08-R | UTC | 17366 | 0.559650 |
| TDA2822G-S08-R | UTC | 14447 | 0.527670 |
| LM321G-AE5-R | UTC | 10641 | 0.296430 |
| TL074IDT | STMICROELECTRONICS | 6931 | 0.662970 |
| LM324DT | STMICROELECTRONICS | 4359 | 0.622250 |
| TS321ILT | STMICROELECTRONICS | 2663 | 1.133076 |
| TL084IDT | STMICROELECTRONICS | 197 | 2.712150 |
| MCP6561T-E/LT | MICROCHIP | 36 | 3.745842 |
| GALI-19+ | MINI-CIRCUITS | 14 | 13.500480 |
| MCP6001UT-I/OT | MICROCHIP | 13 | 2.560368 |
