在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| OP37FP | MAXIM/美信 | OP37 Low-Noise Precision Operational Amplifier | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| OP37FP | ADI/亚德诺 | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Input Offset Voltage-Max | 140µV |
| Slew Rate-Nom | 17V/us |
| Average Bias Current-Max (IIB) | 95nA |
| Number of Functions | 1 |
| Amplifier Type | OPERATIONALAMPLIFIER |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 15V |
| Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) | -15V |
| Technology | BIPOLAR |
| Architecture | VOLTAGE-FEEDBACK |
| Bias Current-Max (IIB) @25C | 55nA |
| Frequency Compensation | YES(AVCL>=5) |
| Low-Offset | YES |
| Neg Supply Voltage Limit-Max | -22V |
| Power Supplies | +-15V |
| Slew Rate-Min | 11V/us |
| Supply Voltage Limit-Max | 22V |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| Unity Gain BW-Nom | 63000 |
| Voltage Gain-Min | 250000 |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Common-mode Reject Ratio-Nom | 121dB |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP8,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 4.572mm |
| Width | 7.62mm |
| Length | 9.375mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | DIP |
| Package Description | DIP,DIP8,.3 |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.33.00.01 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 最大输入失调电压 | 140µV |
| 标称压摆率 | 17V/us |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 95nA |
| 功能数量 | 1 |
| 放大器类型 | OPERATIONALAMPLIFIER |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15V |
| 技术 | BIPOLAR |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 55nA |
| 频率补偿 | YES(AVCL>=5) |
| 低-失调 | YES |
| 负供电电压上限 | -22V |
| 电源 | +-15V |
| 最小摆率 | 11V/us |
| 供电电压上限 | 22V |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 标称均一增益带宽 | 63MHz |
| 最小电压增益 | 250000 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 标称共模抑制比 | 121dB |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 4.572mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 长度 | 9.375mm |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP,DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| HTS代码 | 8542.33.00.01 |
| ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| TJ358GD | HTC KOREA | 167492 | 378.387415 |
| LM358G-S08-R | UTC | 41666 | 0.226320 |
| LM2903DT | ST | 30000 | 0.253000 |
| MC34072G-S08-R | UTC | 22443 | 0.516600 |
| TDA2822G-S08-R | UTC | 14447 | 0.487080 |
| LM321G-AE5-R | UTC | 6601 | 0.274290 |
| TSX562IYST | STMICROELECTRONICS | 500 | 2.032758 |
| LM324G-S14-R | UTC | 212 | 0.416970 |
| AS393MTR-G1 | DIODES | 156 | 0.255840 |
| TSV911AILT | STMICROELECTRONICS | 100 | 177.551732 |
