在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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OP90GPZ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | IC: operational amplifier; 20kHz; Ch: 1; DIP8; tube | 6 | 1 | 中国内地:10-13工作日 中国香港:8-11工作日 |
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OP90GP | MAXIM/美信 | OP90 Precision Low Voltage Micropower Operational Amplifier | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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OP90GPZ | ADI/亚德诺 | OP90 - Precision Low-Voltage Micropower Operational Amplifier | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Obsolete |
最大输入失调电压 | 675µV |
标称压摆率 | 12000V/us |
最大平均偏置电流 (IIB) | 30nA |
最大压摆率 | 30µA |
功能数量 | 1 |
放大器类型 | OPERATIONALAMPLIFIER |
标称供电电压 (Vsup) | 15V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15V |
技术 | BIPOLAR |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 25nA |
频率补偿 | YES |
低-失调 | YES |
负供电电压上限 | -18V |
电源 | +-1.5/+-15V |
最小摆率 | 0.005V/us |
供电电压上限 | 18V |
温度等级 | COMMERCIAL |
最小电压增益 | 40000 |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e0 |
标称共模抑制比 | 110dB |
最高工作温度 | 70°C |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TINLEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54mm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 4.572mm |
宽度 | 7.62mm |
长度 | 9.375mm |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | PLASTIC,DIP-8 |
针数 | 8 |
是否符合REACH标准 | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.33.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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LM324DT | STMICROELECTRONICS | 4564 | 0.622250 |
TS321ILT | STMICROELECTRONICS | 2663 | 1.133076 |
TL072CDT | STMICROELECTRONICS | 2180 | 0.795564 |
HCPL-7800A-500E | 安华高(AVAGO) | 2125 | 84.110985 |
MC34072G-S08-R | UTC | 1303 | 0.512910 |
ACPL-C790-500E | 安华高(AVAGO) | 1000 | 23.364222 |
TSM103WAIDT | STMICROELECTRONICS | 75 | 3.088284 |
QCPL-7847-500E | 安华高(AVAGO) | 57 | 29.906128 |
MCP6561T-E/LT | MICROCHIP | 36 | 3.745842 |
MCP6001UT-I/OT | MICROCHIP | 13 | 2.560368 |