在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
---|
规格参数 | |
---|---|
生命周期 | Obsolete |
标称供电电压 | 5V |
输入次数 | 64 |
输出次数 | 64 |
逻辑单元数量 | 1600 |
等效关口数量 | 19200 |
可配置逻辑块数量 | 400 |
CLB-Max的组合延迟 | 2.2ns |
可编程逻辑类型 | FIELDPROGRAMMABLEGATEARRAY |
温度等级 | COMMERCIAL |
封装形状 | SQUARE |
技术 | CMOS |
组织 | 400CLBS,19200GATES |
其他特性 | MAXIMUMUSABLEGATES44200 |
电源 | 5V |
最大供电电压 | 5.25V |
最小供电电压 | 4.75V |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J84 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | 3 |
最高工作温度 | 70°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 84 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC84,1.2SQ |
封装形式 | CHIPCARRIER |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead(Sn85Pb15) |
端子形式 | JBEND |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 29.083mm |
长度 | 29.083mm |
座面最大高度 | 5.08mm |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | PLASTIC,LCC-84 |
针数 | 84 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示,今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下,存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一,结合头部厂商最新财报来深度分析,未来存储行业趋势将有何变化?景气市况能否持续?
据知情人士透露,美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证,允许其向中东大规模运送人工智能(AI)加速器,同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分,利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点,头部ODM厂商业绩有哪些最新看点?
商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
---|---|---|---|
74AHCT541PW | NEXPERIA | 38035 | 0.925980 |
74HC14D | NEXPERIA | 36890 | 0.402210 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 23866 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC4050D | NEXPERIA | 1448 | 1.314520 |
74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |