在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| OR2T04A4S208-DB | LATTICE/莱迪斯 | Field Programmable Gate Array, 100 CLBs, 4800 Gates, 400-Cell PQFP208 | 1063 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom | 3.3V |
| Number of Inputs | 152 |
| Number of Outputs | 152 |
| Number of Logic Cells | 400 |
| Number of Equivalent Gates | 4800 |
| Number of CLBs | 100 |
| Combinatorial Delay of a CLB-Max | 2.2ns |
| Programmable Logic Type | FIELDPROGRAMMABLEGATEARRAY |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| Package Shape | SQUARE |
| Technology | CMOS |
| Organization | 100CLBS,4800GATES |
| Additional Feature | MAXIMUMUSABLEGATES11000 |
| Power Supplies | 3.3V |
| Supply Voltage-Max | 3.6V |
| Supply Voltage-Min | 3V |
| JESD-30 Code | S-PQFP-G208 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 208 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | FQFP |
| Package Equivalence Code | QFP208,1.2SQ,20 |
| Package Style | FLATPACK,FINEPITCH |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | QUAD |
| Width | 28mm |
| Length | 28mm |
| Seated Height-Max | 4.1mm |
| Ihs Manufacturer | LATTICESEMICONDUCTORCORP |
| Package Description | SQFP-208 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Part Package Code | QFP |
| Pin Count | 208 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 | 3.3V |
| 输入次数 | 152 |
| 输出次数 | 152 |
| 逻辑单元数量 | 400 |
| 等效关口数量 | 4800 |
| 可配置逻辑块数量 | 100 |
| CLB-Max的组合延迟 | 2.2ns |
| 可编程逻辑类型 | FIELDPROGRAMMABLEGATEARRAY |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 封装形状 | SQUARE |
| 技术 | CMOS |
| 组织 | 100CLBS,4800GATES |
| 其他特性 | MAXIMUMUSABLEGATES11000 |
| 电源 | 3.3V |
| 最大供电电压 | 3.6V |
| 最小供电电压 | 3V |
| JESD-30 代码 | S-PQFP-G208 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 208 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FQFP |
| 封装等效代码 | QFP208,1.2SQ,20 |
| 封装形式 | FLATPACK,FINEPITCH |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 28mm |
| 长度 | 28mm |
| 座面最大高度 | 4.1mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | SQFP-208 |
| 针数 | 208 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 38035 | 0.925980 |
| 74HC14D | NEXPERIA | 36890 | 0.402210 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 23866 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 1448 | 1.314520 |
| 74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |
