在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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OR3T1257PS208-DB | LATTICE/莱迪斯 | Field Programmable Gate Array, 784 CLBs, 186000 Gates, 6272-Cell PQFP208 | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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生命周期 | Obsolete |
标称供电电压 | 3.3V |
输入次数 | 167 |
输出次数 | 167 |
逻辑单元数量 | 6272 |
等效关口数量 | 186000 |
可配置逻辑块数量 | 784 |
CLB-Max的组合延迟 | 1.05ns |
可编程逻辑类型 | FIELDPROGRAMMABLEGATEARRAY |
温度等级 | COMMERCIAL |
封装形状 | SQUARE |
技术 | CMOS |
组织 | 784CLBS,186000GATES |
电源 | 3.3V |
最大供电电压 | 3.6V |
最小供电电压 | 3V |
JESD-30 代码 | S-PQFP-G208 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | 3 |
最高工作温度 | 70°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 208 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HFQFP |
封装等效代码 | HQFP208,1.2SQ,20 |
封装形式 | FLATPACK,HEATSINK/SLUG,FINEPITCH |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TINLEAD |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 500µm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 28mm |
长度 | 28mm |
座面最大高度 | 4.1mm |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | PLASTIC,SQFP2-208 |
针数 | 208 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74AHCT541PW | NEXPERIA | 38035 | 0.925980 |
74HC14D | NEXPERIA | 36890 | 0.402210 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 23866 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC4050D | NEXPERIA | 1448 | 1.314520 |
74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |