在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Bus Compatibility | 8086;8088;MCS-80;MCS-85 |
| External Data Bus Width | 8 |
| Surface Mount | NO |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| uPs/uCs/Peripheral ICs Type | INTERRUPTCONTROLLER |
| Technology | NMOS |
| Number of External Interrupts | 8 |
| Power Supplies | 5V |
| Supply Current-Max | 85mA |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 4.5V |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T28 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 28 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP28,.6 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 5.08mm |
| Width | 15.24mm |
| Length | 37.02mm |
| Ihs Manufacturer | INTELCORP |
| Package Description | DIP,DIP28,.6 |
| HTS Code | 8542.31.00.01 |
| Part Package Code | DIP |
| Pin Count | 28 |
| 总线兼容性 | 8086;8088;MCS-80;MCS-85 |
| 外部数据总线宽度 | 8 |
| 表面贴装 | NO |
| 标称供电电压 | 5V |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | INTERRUPTCONTROLLER |
| 技术 | NMOS |
| 外部中断装置数量 | 8 |
| 电源 | 5V |
| 最大压摆率 | 85mA |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 28 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 5.08mm |
| 宽度 | 15.24mm |
| 长度 | 37.02mm |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP,DIP28,.6 |
| 针数 | 28 |
| HTS代码 | 8542.31.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| TL494G-S16-R | UTC | 41942 | 0.599010 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 16027 | 0.298890 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5569 | 1.201250 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5554 | 0.543500 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2322 | 0.417040 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 829 | 0.471625 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 396 | 0.400625 |
| ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |
