在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| Propagation Delay | 25ns |
| Number of Inputs | 12 |
| Number of Outputs | 8 |
| Number of Dedicated Inputs | 12 |
| Programmable Logic Type | OTPLD |
| Screening Level | 38535Q/M;38534H;883B |
| Temperature Grade | MILITARY |
| Package Shape | SQUARE |
| Technology | TTL |
| Organization | 12DEDICATEDINPUTS,0I/O |
| Additional Feature | PAL;POWER-UPRESET |
| Architecture | PAL-TYPE |
| Clock Frequency-Max | 20MHz |
| Number of Product Terms | 64 |
| Output Function | REGISTERED |
| Power Supplies | 5V |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 4.5V |
| JESD-30 Code | S-CQCC-N28 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -55°C |
| Number of Terminals | 28 |
| Package Body Material | CERAMIC,METAL-SEALEDCOFIRED |
| Package Code | QCCN |
| Package Equivalence Code | LCC28,.45SQ |
| Package Style | CHIPCARRIER |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | QUAD |
| Width | 11.43mm |
| Length | 11.43mm |
| Seated Height-Max | 2.54mm |
| Ihs Manufacturer | ADVANCEDMICRODEVICESINC |
| Part Package Code | QLCC |
| Package Description | QCCN,LCC28,.45SQ |
| Pin Count | 28 |
| ECCN Code | 3A001.A.2.C |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 | 5V |
| 传播延迟 | 25ns |
| 输入次数 | 12 |
| 输出次数 | 8 |
| 专用输入次数 | 12 |
| 可编程逻辑类型 | OTPLD |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 温度等级 | MILITARY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 技术 | TTL |
| 组织 | 12DEDICATEDINPUTS,0I/O |
| 其他特性 | PAL;POWER-UPRESET |
| 架构 | PAL-TYPE |
| 最大时钟频率 | 20MHz |
| 产品条款数 | 64 |
| 输出函数 | REGISTERED |
| 电源 | 5V |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N28 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -55°C |
| 端子数量 | 28 |
| 封装主体材料 | CERAMIC,METAL-SEALEDCOFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC28,.45SQ |
| 封装形式 | CHIPCARRIER |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 11.43mm |
| 长度 | 11.43mm |
| 座面最大高度 | 2.54mm |
| 包装说明 | QCCN,LCC28,.45SQ |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 针数 | 28 |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74LVC1G17SE-7 | DIODES INCORPORATED | 22065 | 0.253250 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.563500 |
| 74LVC1G04GV,125 | NEXPERIA | 2494 | 0.367250 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 2132 | 1.748348 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1924 | 0.362625 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 997 | 0.239120 |
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 930 | 1.067500 |
| 74HC4094PW,118 | NEXPERIA | 723 | 1.144023 |
| 74HC244D | NEXPERIA | 560 | 1.253160 |
| 74LVC1G04SE-7 | DIODES INCORPORATED | 1 | 0.373500 |
