在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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PAM8904EJPR | DIODES/美台 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | U-QFN3030-12(A 类) |
封装/外壳 | 12-UFQFN 裸露焊盘 |
类型 | Piezo Sounder Driver |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
应用 | Health,Home,Security |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
生命周期 | Active |
商用集成电路类型 | CONSUMERCIRCUIT |
JESD-609代码 | e4 |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
端子面层 | NICKELPALLADIUMGOLD |
包装说明 | , |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
输出功率 | -W |
工作温度最高值 | 150°C |
工作温度最小值 | -40°C |
针脚数 | 12Pins |
负载阻抗 | -ohm |
MSL | MSL 1 -无限制 |
合规 | 0 |
音频放大器类型 | - |
芯片安装 | 表面安装 |
IC 外壳 / 封装 | U-QFN3030 |
通道数 | 1放大器 |
输出类型 | 1 x 单声道 BTL |
输出功率 x 沟道 @ 负载 | - |
产品范围 | - |
电源电压范围 | 1.5V 至 5.5V |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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LM324DT | STMICROELECTRONICS | 4564 | 0.622250 |
TS321ILT | STMICROELECTRONICS | 2663 | 1.133076 |
TL072CDT | STMICROELECTRONICS | 2180 | 0.795564 |
HCPL-7800A-500E | 安华高(AVAGO) | 2125 | 84.110985 |
MC34072G-S08-R | UTC | 1303 | 0.512910 |
ACPL-C790-500E | 安华高(AVAGO) | 1000 | 23.364222 |
TSM103WAIDT | STMICROELECTRONICS | 75 | 3.088284 |
QCPL-7847-500E | 安华高(AVAGO) | 57 | 29.906128 |
MCP6561T-E/LT | MICROCHIP | 36 | 3.745842 |
MCP6001UT-I/OT | MICROCHIP | 13 | 2.560368 |