在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PAT0510S-C-8DB-T10 | SUSUMU/进工业 | 8dB 50ohm | 0 | 10000 | 中国内地：12-16工作日 中国香港：9-13工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 功率（W） | 32mW |
| 阻抗 | 50 Ohms |
| 频率范围 | 0Hz ~ 10GHz |
| 衰减值 | 8dB |
| 在线目录 | PAT Series Attenuators |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 封装 | 0402 |
| 最大频率 | 10 GHz |
| 最大 VSWR | 1.3 |
| 最大衰减 | 8 dB |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 工作温度最小值 | -55°C |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度最高值 | 125°C |
| 针脚数 | 4Pins |
| 产品范围 | - |
| 插入损耗 | - |
| 控制电压最大值 | - |
| 封装类型 | SMD |
| 最低频率 | 0Hz |
| 最高频率 | 10GHz |
| 衰减 - 典型 | 8dB |
| 射频输入电压 | - |
| 射频衰减类型 | - |
| 控制电压最小值 | - |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.477108 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 8355 | 1.369625 |
| HCTF12001 | AMPHENOL | 7451 | 1.470000 |
| AC-CP000382 | AMPHENOL | 287 | 0.232044 |
| ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
| ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
| TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
| TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
| KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |
| ADE-2+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 45.864000 |
