在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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PI4ULS3V304ZMEX | NEXPERIA/安世 | 0 | 0 | 中国内地:3-5工作日 中国香港:5-8工作日 |
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PI4ULS3V304ZMEX | DIODES/美台 | 0 | 0 | 中国内地:3-5工作日 中国香港:5-8工作日 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 12-UQFN(1.7x2) |
封装/外壳 | 12-UFQFN |
通道类型 | 双向 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
转换器类型 | 电压电平 |
每个电路的通道数 | 4 |
电压 - VCCA | 0.85V ~ 2.7V |
电压 - VCCB | 1.35V ~ 3.6V |
零件状态 | 在售 |
电路数 | 1 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
输出类型 | 非反相 |
数据速率 | 140Mbps |
特性 | 自动方向检测,断电保护 |
系列 | ULS |
在线目录 | ULS Series |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 剪切带(CT) |
包装 | Digi-Reel® |
零件状态 | 有源 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
生命周期 | Obsolete |
标称供电电压 | 1.8V |
电源电压1-Nom | 2.8V |
接口集成电路类型 | INTERFACECIRCUIT |
功能数量 | 1 |
最大供电电压 | 2.7V |
最小供电电压 | 850mV |
电源电压1-最大 | 3.6V |
电源电压1-分钟 | 1.35V |
表面贴装 | YES |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-XQCC-N12 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 12 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | VQCCN |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIPCARRIER,VERYTHINPROFILE |
端子形式 | NOLEAD |
端子节距 | 400µm |
端子位置 | QUAD |
长度 | 2mm |
座面最大高度 | 550µm |
宽度 | 1.7mm |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
包装说明 | VQCCN, |
MSL | MSL 1 -无限制 |
汽车质量标准 | - |
工作温度最小值 | -40°C |
工作温度最高值 | 85°C |
电源电压最大值 | 3.6V |
针脚数 | 12引脚 |
产品范围 | - |
输入数 | 4Inputs |
输出电流 | - |
传播延迟时间 | 10.9ns |
封装类型 | UQFN |
电源电压最小值 | 1.35V |
逻辑类型 | 双向电压电平转换器 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HC14D | NEXPERIA | 32368 | 0.396060 |
74AHCT541PW | NEXPERIA | 29875 | 0.925980 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19865 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 17541 | 1.229125 |
74HC4050D | NEXPERIA | 14440 | 0.869860 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 2905 | 0.141450 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC02D | NEXPERIA | 430 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |