在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 24-TSSOP |
电路 | 5 x 1:1 |
封装/外壳 | 24-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
类型 | 总线开关 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 最後搶購 |
基本零件编号 | PI5C3384 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
电压 - 电源 | 4.75V ~ 5.25V |
独立电路 | 2 |
电压源 | 单电源 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
标称供电电压 (Vsup) | 5V |
功能数量 | 1 |
位数 | 10 |
表面贴装 | YES |
封装代码 | TSSOP |
输出特性 | 3-STATE |
系列 | CBT/FST/QS/5C/B |
逻辑集成电路类型 | BUSDRIVER |
技术 | CMOS |
端口数量 | 2 |
输出极性 | TRUE |
最大供电电压 (Vsup) | 5.25V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G24 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 24 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 1.2mm |
宽度 | 4.4mm |
长度 | 7.8mm |
包装说明 | TSSOP, |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 29147 | 0.226320 |
VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
43650-0510 | MOLEX | 2006 | 16.857746 |
SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |