在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PI6C20800BAEX | DIODES/美台 | 3000 | 1500 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
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| PI6C20800BAEX | PERICOM/百利通 | 0 | 1500 | 中国内地：11-14工作日 中国香港：9-12工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3V |
| Propagation Delay (tpd) | 7.5ns |
| Prop. Delay@Nom-Sup | 7.5ns |
| Number of Functions | 1 |
| Surface Mount | YES |
| Package Code | TSSOP |
| Output Characteristics | 3-STATE |
| Family | 6C |
| Logic IC Type | PLLBASEDCLOCKDRIVER |
| Input Conditioning | DIFFERENTIALMUX |
| Max I(ol) | 1mA |
| Number of True Outputs | 8 |
| Power Supplies | 3.3V |
| Same Edge Skew-Max (tskwd) | 50ps |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.465V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 3.135V |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G48 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 48 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Equivalence Code | TSSOP48,.3,20 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.2mm |
| Width | 6.1mm |
| Length | 12.5mm |
| Ihs Manufacturer | DIODESINC |
| Package Description | TSSOP,TSSOP48,.3,20 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
| 传播延迟（tpd） | 7.5ns |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 7.5ns |
| 功能数量 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 封装代码 | TSSOP |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 系列 | 6C |
| 逻辑集成电路类型 | PLLBASEDCLOCKDRIVER |
| 输入调节 | DIFFERENTIALMUX |
| 最大I（ol） | 1mA |
| 实输出次数 | 8 |
| 电源 | 3.3V |
| Same Edge Skew-Max（tskwd） | 50ps |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135V |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 48 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.3,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.2mm |
| 宽度 | 6.1mm |
| 长度 | 12.5mm |
| 包装说明 | TSSOP,TSSOP48,.3,20 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC4046AD,653 | NEXPERIA | 130 | 1.606872 |
| DS1339U-33+T&R | MAXIM | 95 | 12.983040 |
| DS1302Z+T&R | MAXIM | 85 | 4.086306 |
| CY2304SXI-1 | CYPRESS | 26 | 15.288000 |
| DS3231MZ+TRL | MAXIM | 23 | 17.016720 |
| CY2308SXI-2 | CYPRESS | 20 | 43.276800 |
| DS12C887+ | MAXIM | 15 | 98.527616 |
| CY2308ZXC-1HT | CYPRESS | 10 | 10.976000 |
| DS3231SN#T&R | MAXIM | 6 | 18.500520 |
| CY2305SXI-1T | CYPRESS | 2 | 38.808000 |
