在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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PI6C49S1504LIE | DIODES/美台 | 4 Selectable Outputs High Perf Buffer | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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比率 - 输入:输出 | 3:4 |
差分 - 输入:输出 | 是/是 |
供应商器件封装 | 28-TSSOP |
封装/外壳 | 28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
类型 | 扇出缓冲器(分配),多路复用器 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
输入 | 时钟,晶体 |
频率 - 最大值 | 1.5GHz |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
电压 - 电源 | 2.375V ~ 3.465V |
在线目录 | Differential Output |
电路数 | 1 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 管件 |
输出 | HCSL,LVDS,LVPECL |
Part Life Cycle Code | Active |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 2.5V |
Number of Functions | 1 |
Surface Mount | YES |
Package Code | TSSOP |
Output Characteristics | 3-STATE |
Family | 6C |
Logic IC Type | LOWSKEWCLOCKDRIVER |
fmax-Min | 1.5GHz |
Input Conditioning | DIFFERENTIALMUX |
Number of True Outputs | 8 |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.465V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.375V |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
JESD-30 Code | R-PDSO-G28 |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Number of Terminals | 28 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 650µm |
Terminal Position | DUAL |
Seated Height-Max | 1.2mm |
Width | 4.4mm |
Length | 9.7mm |
Ihs Manufacturer | DIODESINC |
Package Description | TSSOP, |
Reach Compliance Code | compliant |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
ECCN Code | EAR99 |
生命周期 | Active |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5V |
功能数量 | 1 |
表面贴装 | YES |
封装代码 | TSSOP |
输出特性 | 3-STATE |
系列 | 6C |
逻辑集成电路类型 | LOWSKEWCLOCKDRIVER |
最小 fmax | 1.5GHz |
输入调节 | DIFFERENTIALMUX |
实输出次数 | 8 |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.375V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 28 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 1.2mm |
宽度 | 4.4mm |
长度 | 9.7mm |
包装说明 | TSSOP, |
是否符合REACH标准 | compliant |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
ECCN代码 | EAR99 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 29147 | 0.226320 |
VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
43650-0510 | MOLEX | 2006 | 16.857746 |
SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |