在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PI6ULS5V9511AUEX | DIODES/美台 | 2500 | 2500 | 中国内地：4-7工作日 |
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| PI6ULS5V9511AUEX | ST/意法 | 0 | 2500 | 中国内地：4-7工作日 |
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| PI6ULS5V9511AUEX | PERICOM/百利通 | 0 | 2500 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | MSOP-8 |
| 工作电源电压 | 2.7 V to 5.5 V |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 接口类型 | I2C, SMBus |
| 最大时钟频率 | 400 kHz |
| 传播延迟时间 | 70 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品 | Buffers |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 3.3V |
| Interface IC Type | BUSBUFFERS |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 2.7V |
| Surface Mount | YES |
| JESD-30 Code | S-PDSO-G8 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TSSOP |
| Package Equivalence Code | TSSOP8,.19 |
| Package Shape | SQUARE |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 650µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 3mm |
| Seated Height-Max | 1.1mm |
| Width | 3mm |
| Ihs Manufacturer | DIODESINC |
| Package Description | , |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | DiodesInc. |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 3.3V |
| 接口集成电路类型 | BUSBUFFERS |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 2.7V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.19 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 650µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 3mm |
| 座面最大高度 | 1.1mm |
| 宽度 | 3mm |
| 包装说明 | , |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87245 | 0.497250 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 87000 | 0.520520 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 17511 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 13341 | 0.617320 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2399 | 0.410020 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 22 | 0.494390 |
