在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PIC12F617-I/MF | MICROCHIP/微芯 | 128B RAM 6 I/O 8MHz internal oscill | 0 | 1000 | 中国内地：11-17工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装类型 | DFN-8 |
| Family Name | PIC12F |
| Operating Temperature | -40°C to +85°C |
| Program Memory Type | Flash |
| Core Processor | PIC |
| RAM Size | 128B |
| No of I/O Lines | 5 |
| Speed | 20MHz |
| Supply Voltage | 2V to 5.5V |
| Flash Size (Bytes) | 3.5kB |
| On-Chip ADC | 4-chx10-bit |
| Peripherals | POR/PWM/Watchdog |
| Watchdog Timers | 1 |
| Number Of Timers | 2 |
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 2V ~ 5.5V |
| 外设 | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 供应商器件封装 | 8-DFN（3x3） |
| 速度 | 20MHz |
| 程序存储容量 | 3.5KB（2K x 14） |
| RAM 容量 | 128 x 8 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | PIC12F617 |
| I/O 数 | 5 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 振荡器类型 | 内部 |
| 程序存储器类型 | 闪存 |
| 系列 | PIC® 12F |
| 核心处理器 | PIC |
| 数据转换器 | A/D 4x10b |
| 在线目录 | PIC® 12F/HV/LF |
| 核心尺寸 | 8 位 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Bit Size | 8 |
| ROM (words) | 2048 |
| RAM (bytes) | 128 |
| CPU Family | PIC12 |
| Clock Frequency-Max | 20MHz |
| Number of I/O Lines | 6 |
| Number of Timers | 5 |
| Surface Mount | YES |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| uPs/uCs/Peripheral ICs Type | MICROCONTROLLER,RISC |
| Technology | CMOS |
| Boundary Scan | NO |
| DAC Channels | NO |
| DMA Channels | NO |
| Format | FIXEDPOINT |
| Has ADC | YES |
| Integrated Cache | NO |
| Low Power Mode | YES |
| Number of External Interrupts | 1 |
| On Chip Data RAM Width | 8 |
| On Chip Program ROM Width | 14 |
| PWM Channels | YES |
| ROM Programmability | FLASH |
| Supply Current-Max | 3.35mA |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 4.5V |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | S-PDSO-N8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Screening Level | TS16949 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | HVSON |
| Package Equivalence Code | SOLCC8,.12,25 |
| Package Shape | SQUARE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 650µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1mm |
| Width | 3mm |
| Length | 3mm |
| Source Content uid | PIC12F617-I/MF |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Part Package Code | DFN |
| Package Description | 3X3MM,0.90MMHEIGHT,PLASTIC,DFN-8 |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.31.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | Microchip |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 29147 | 0.226320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2006 | 16.857746 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
