在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PIC16F15323-I/ST | MICROCHIP/微芯 | 3.5KB, 256B RAM, 4xPWMs, Comparator, DAC, ADC, 4xCLC, CWG, EUSART, SPI/I2C | 10080 | 100 | 中国内地：11-22工作日 |
查看价格 |
| PIC16F15323-I/ST | MICROCHIP/微芯 | 3.5KB, 256B RAM, 4xPWMs, Comparator, DAC, ADC, 4xCLC, CWG, EUSART, SPI/I2C | 960 | 1 管 | 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 2.3V ~ 5.5V |
| 连接性 | I²C，LINbus，SPI，UART/USART |
| 外设 | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 供应商器件封装 | 14-TSSOP |
| 速度 | 32MHz |
| 程序存储容量 | 3.5KB（2K x 14） |
| RAM 容量 | 256 x 8 |
| 封装/外壳 | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 在售 |
| 基本零件编号 | PIC16F15323 |
| I/O 数 | 12 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 振荡器类型 | 内部 |
| 程序存储器类型 | 闪存 |
| 系列 | PIC® XLP™ 16F |
| 核心处理器 | PIC |
| 数据转换器 | A/D 11x10b; D/A 1x5b |
| 在线目录 | PIC® XLP16F/LF |
| 核心尺寸 | 8-位 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 管件 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC14D | NEXPERIA | 32368 | 0.396060 |
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 29875 | 0.925980 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19865 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 17541 | 1.229125 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 14440 | 0.869860 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 2905 | 0.141450 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
| 74HC02D | NEXPERIA | 430 | 0.381300 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |
