在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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PIC16F1777-I/PT | MICROCHIP/微芯 | 8-Bit MCU, 14K Flash 1KB RAM, 10b ADC | 1120 | 100 | 中国内地:11-22工作日 |
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PIC16F1777-I/PT_R | MICROCHIP/微芯 | 0 | 160 | 中国内地:11-17工作日 |
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规格参数 | |
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电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 2.3V ~ 5.5V |
连接性 | I²C,LINbus,SPI,UART/USART |
外设 | 欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
供应商器件封装 | 44-TQFP(10x10) |
速度 | 32MHz |
程序存储容量 | 14KB(8K x 14) |
RAM 容量 | 1K x 8 |
封装/外壳 | 44-TQFP |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | PIC16F1777 |
I/O 数 | 36 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
振荡器类型 | 内部 |
程序存储器类型 | 闪存 |
EEPROM 容量 | 128 x 8 |
系列 | PIC® XLP™ 16F |
核心处理器 | PIC |
数据转换器 | A/D 28x10b; D/A 4x5b,4x10b |
在线目录 | PIC® XLP16F/LF |
核心尺寸 | 8 位 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 托盘 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
1843606 | PHOENIX | 418 | 1.928640 |
1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 43 | 145.505268 |
FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
J42FSC-02V-KX | JST | 12 | 3.616200 |
CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |