在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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PIC16LF1567T-I/PT | MICROCHIP/微芯 | 8-Bit MCU 14KB Flash 1KB RAM 10B ADC | 0 | 100 | 中国内地:11-22工作日 |
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PIC16LF1567T-I/PT_R | MICROCHIP/微芯 | 0 | 1200 | 中国内地:11-17工作日 |
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规格参数 | |
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电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 1.8V ~ 3.6V |
连接性 | I²C,LINbus,SPI,UART/USART |
外设 | 欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
供应商器件封装 | 44-TQFP(10x10) |
速度 | 32MHz |
程序存储容量 | 14KB(8K x 14) |
RAM 容量 | 1K x 8 |
封装/外壳 | 44-TQFP |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | PIC16LF1567 |
I/O 数 | 36 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
振荡器类型 | 内部 |
程序存储器类型 | 闪存 |
系列 | PIC® XLP™ 16F |
核心处理器 | PIC |
数据转换器 | A/D 34x10b |
核心尺寸 | 8 位 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HC14D | NEXPERIA | 32368 | 0.396060 |
74AHCT541PW | NEXPERIA | 29875 | 0.925980 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19865 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 17541 | 1.229125 |
74HC4050D | NEXPERIA | 14440 | 0.869860 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 2905 | 0.141450 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC02D | NEXPERIA | 430 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |