在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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PMT-15V50W1AA | DELTA/台达 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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电流 - 输出(最大值) | 3.4A |
电压 - 输入 | 90 ~ 264 VAC |
电压 - 输出 1 | 15V |
类型 | 封闭式 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 在售 |
功率(W) | 50W |
输出数 | 1 |
电压 - 隔离 | 3kV |
工作温度 | -10°C ~ 70°C(有降额) |
应用 | ITE(商业) |
大小/尺寸 | 3.86" 长 x 3.86" 宽 x 1.50" 高(98.0mm x 98.0mm x 38.0mm) |
特性 | 可调输出,通用输入 |
系列 | PMT(51W) |
在线目录 | PMT Series |
认可 | CB,CCC,CE,cURus,TUV |
安装类型 | 底座安装 |
效率 | 85.5% |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87245 | 0.497250 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 87000 | 0.520520 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 17511 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 13341 | 0.617320 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2399 | 0.410020 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 61 | 0.494390 |