在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Q8025R5TP | LITTELFUSE/力特 | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 系列 | * |
| 生命周期 | Active |
| 最大维持电流 | 100mA |
| 最大直流栅极触发电流 | 50mA |
| 断态重复峰值电压 | 800V |
| 最大均方根通态电流 | 25A |
| 触发设备类型 | TRIAC |
| 配置 | SINGLE |
| 其他特性 | HIGHRELIABILITY |
| 换向电压的临界上升率-最小值 | 5V/us |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 200V/us |
| 最大直流栅极触发电压 | 1.3V |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 外壳连接 | MAINTERMINAL2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGEMOUNT |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MatteTin(Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGEMOUNT,R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.30.00.80 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.316216 |
| BGA855N6E6327XTSA1 | INFINEON | 12000 | 2.124400 |
| MC3361BPG-S16-R | 友顺(UTC) | 1135 | 3.188724 |
| M3933/25-30S | AMPHENOL AEROSPACE OPERATIONS | 215 | 1237.981325 |
| ERA-50SM+ | MINI-CIRCUITS | 101 | 23.373000 |
| ERA-4SM+ | MINI-CIRCUITS | 80 | 23.191846 |
| ERA-3SM+ | MINI-CIRCUITS | 68 | 6.998400 |
| SF0930-6200-12 | AMPHENOL COMMERCIAL PRODUCTS | 33 | 824.102679 |
| DBTC-17-5+ | MINI | 8 | 22.780800 |
| LEE-39+ | MINI | 5 | 12.000000 |
