在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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QA03 | EVISUN/易成 | 1294 | 10 管 | 中国内地:2-7工作日 |
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EBQA-03-D-C | ADAM TECH | 303 | 1 | 中国内地:10-13工作日 中国香港:8-11工作日 |
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LQA03TC600 | POWER INTEGRATIONS/帕沃英蒂格盛 | Q-Series 600V 3A Ultra Low Qrr | 100 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
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规格参数 | |
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输出电压 | 15V, |
最大输入电压 | 24.7V |
标称输出电压 | 15V |
标称输入电压 | 24V |
最大输出电流 | 80mA |
模拟集成电路 - 其他类型 | DC-DCREGULATEDPOWERSUPPLYMODULE |
技术 | HYBRID |
其他特性 | ITALSOHAS-8.7VOUTPUT |
效率(主输出) | 80% |
最小输入电压 | 23.3V |
最大电网调整率 | 1.5% |
最大负载调整率 | 15% |
功能数量 | 1 |
输出次数 | 2 |
最大输出电压 | 15.75V |
最小输出电压 | 14.25V |
保护 | SHORTCIRCUIT |
纹波电压(主输出) | 0.0707Vrms |
最大切换频率 | 300kHz |
最大总功率输出 | 1.548W |
微调/可调输出 | NO |
JESD-30 代码 | R-PSMA-T5 |
认证 | UL,IEC,EN |
最高工作温度 | 105°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 5 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SMA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONICASSEMBLY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54mm |
端子位置 | SINGLE |
高度 | 13mm |
长度 | 19.5mm |
座面最大高度 | 13mm |
宽度 | 9.8mm |
包装说明 | , |
ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87293 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29251 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 25007 | 0.617320 |
TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2556 | 0.619190 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1016 | 0.805090 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 520 | 0.692120 |