在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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QLX4600LIQT7 | RENESAS/瑞萨 | 6 GBS QD CH LANE EXTENDER | 0 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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生命周期 | Obsolete |
JESD-609代码 | e4 |
湿度敏感等级 | 1 |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子面层 | NICKELPALLADIUMGOLD |
包装说明 | , |
是否符合REACH标准 | compliant |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
零件包装代码 | QFN |
针数 | 46 |
制造商包装代码 | L46.4X7 |
ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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CH340K | WCH | 17368 | 2.219580 |
CH340B | WCH | 7797 | 2.761200 |
UT3232G-S16-R | 友顺(UTC) | 7227 | 1.750847 |
TP75176E-SR | 3PEAK | 6851 | 0.841800 |
CH341T | WCH | 4712 | 6.372000 |
TEA1062NG-S16-R | 友顺(UTC) | 2277 | 2.257787 |
SI8642ED-B-ISR | SILICON LABS | 346 | 13.806000 |
75232G-P20-R | UTC | 276 | 0.868640 |
ST16C2552CJ44-F | EXAR | 202 | 1.645566 |
MAX5969BETB+T | MAXIM | 184 | 7.773840 |