在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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R1EX24008ASAS0A#U0 | RENESAS/瑞萨 | EEPROM, 1KX8, Serial | 10000 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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生命周期 | Obsolete |
内存密度 | 8.192kbit |
内存宽度 | 8 |
组织 | 1KX8 |
标称供电电压 (Vsup) | 2.7V |
电源 | 2/5V |
最大时钟频率 (fCLK) | 400kHz |
内存集成电路类型 | EEPROM |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 1000000Write/EraseCycles |
I2C控制字节 | 1010DMMR |
功能数量 | 1 |
字数代码 | 1000 |
字数 | 1.024k |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
并行/串行 | SERIAL |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 2µA |
最大压摆率 | 3µA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8V |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
最长写入周期时间 (tWC) | 5ms |
写保护 | HARDWARE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
认证状态 | NotQualified |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 1.73mm |
长度 | 4.89mm |
宽度 | 3.9mm |
包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
零件包装代码 | SOIC |
针数 | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
SZ1SMB24AT3G | LITTELFUSE | 7 | 2.410800 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |