在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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S-1003NB15I-M5T1U | ABLIC/艾普凌科 | S 1003NB15I M5T1U | 0 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | SOT-23-5 |
封装/外壳 | SC-74A,SOT-753 |
类型 | 电压检测器 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
复位 | 低有效 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
系列 | S-1003 |
受监控电压数 | 1 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
输出 | 开路漏极或开路集电极 |
电压 - 阈值 | 1.5V |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AS78L05RTR-E1 | DIODES/美台 | 240000 | 0.197750 |
AZ431AN-ATRE1 | DIODES/美台 | 162000 | 0.105090 |
AZ431AZ-ATRE1 | DIODES/美台 | 48000 | 0.125430 |
AP2204K-5.0TRG1 | DIODES/美台 | 39000 | 0.510760 |
AP2331SA-7 | DIODES/美台 | 33000 | 0.287020 |
AZ431AN-ATRG1 | DIODES/美台 | 30000 | 0.127690 |
AZ431BN-ATRE1 | DIODES/美台 | 18000 | 0.118650 |
APX809-29SAG-7 | DIODES/美台 | 9000 | 0.281370 |
AZ432ANTR-E1 | DIODES/美台 | 6000 | 6.074880 |
AP431SRG-7 | DIODES/美台 | 3000 | 0.166110 |