在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 稳压器数 | 1 |
| 电流 - 输出 | 300mA |
| 供应商器件封装 | SOT-89-5 |
| 封装/外壳 | SOT-89-5/6 |
| 电压 - 输出（最小值/固定） | 3V |
| 控制特性 | 使能 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 不適用於新設計 |
| PSRR | 70dB（1kHz） |
| 压降（最大值） | 0.34V @ 100mA |
| 保护功能 | 过流 |
| 电流 - 电源（最大值） | 65µA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 输出配置 | 正 |
| 输出类型 | 固定 |
| 电流 - 静态（Iq) | 1µA |
| 系列 | S-1131 |
| 电压 - 输入（最大值） | 6.5V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 生命周期 | EndOfLife |
| 最大输入电压 | 6.5V |
| 最小输入电压 | 2V |
| 标称输出电压 1 | 3V |
| 最大输出电流 1 | 100mA |
| 表面贴装 | YES |
| 最大回动电压 1 | 340mV |
| 功能数量 | 1 |
| 最大输出电压 1 | 3.06V |
| 最小输出电压 1 | 2.94V |
| 技术 | CMOS |
| 最大电压容差 | 2% |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 端子数量 | 5 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HLSOF |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 端子面层 | Tin(Sn) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.5mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 2.5mm |
| 长度 | 4.5mm |
| 座面最大高度 | 1.6mm |
| 零件包装代码 | SOT-89 |
| 包装说明 | HLSOF, |
| 针数 | 5 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 特征 | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 27151 | 0.335790 |
| TL494G-S16-R | UTC | 26044 | 0.666120 |
| AP2171WG-7 | DIODES INCORPORATED | 5519 | 0.612500 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 2754 | 0.543500 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 829 | 0.471625 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 396 | 0.588000 |
| ICL7662CBA+T | MAXIM | 156 | 7.573440 |
| ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |
| ITS41K0SMENHUMA1 | INFINEON | 13 | 5.665380 |
