在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S-1313D30-A4T1U3 | ABLIC/艾普凌科 | 低压差稳压器 200MA VOLT REG ULTRA LOW IQ | 0 | 1 卷 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 稳压器数 | 1 |
| 电流 - 输出 | 200mA |
| 供应商器件封装 | HSNT-4-A |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线裸焊盘 |
| 电压 - 输出（最小值/固定） | 3V |
| 控制特性 | 使能 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 在售 |
| 压降（最大值） | 0.32V @ 100mA |
| 保护功能 | 过流，热关断 |
| 电流 - 电源（最大值） | 1.35µA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 输出配置 | 正 |
| 输出类型 | 固定 |
| 电流 - 静态（Iq) | 100nA |
| 系列 | S-1313 |
| 电压 - 输入（最大值） | 5.5V |
| 在线目录 | 2.75V to 3V Output |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 零件状态 | 有源 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Input Voltage-Max | 5.5V |
| Input Voltage-Min | 3.5V |
| Output Voltage1-Nom | 3V |
| Dropout Voltage1-Nom | 160mV |
| Output Current1-Max | 200mA |
| Number of Outputs | 1 |
| Surface Mount | YES |
| Adjustability | FIXED |
| Dropout Voltage1-Max | 320mV |
| Input Voltage Absolute-Max | 6V |
| Line Regulation-Max | 0.012% |
| Load Regulation-Max | 0.08% |
| Number of Functions | 1 |
| Output Voltage1-Max | 3.03V |
| Output Voltage1-Min | 2.97V |
| Technology | CMOS |
| Voltage Tolerance-Max | 1% |
| JESD-30 Code | R-XDSO-F4 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
| Number of Terminals | 4 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Code | HVSOF |
| Package Equivalence Code | FL4,.03,16 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Packing Method | TR |
| Terminal Finish | Tin(Sn) |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 400µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Width | 740µm |
| Length | 800µm |
| Seated Height-Max | 400µm |
| Ihs Manufacturer | ABLICINC |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Feature | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | , |
| Pin Count | 4 |
| 生命周期 | Active |
| 最大输入电压 | 5.5V |
| 最小输入电压 | 3.5V |
| 标称输出电压 1 | 3V |
| 标称回动电压 1 | 160mV |
| 最大输出电流 1 | 200mA |
| 输出次数 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 可调性 | FIXED |
| 最大回动电压 1 | 320mV |
| 最大绝对输入电压 | 6V |
| 最大电网调整率 | 0.012% |
| 最大负载调整率 | 0.08% |
| 功能数量 | 1 |
| 最大输出电压 1 | 3.03V |
| 最小输出电压 1 | 2.97V |
| 技术 | CMOS |
| 最大电压容差 | 1% |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-F4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 端子数量 | 4 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVSOF |
| 封装等效代码 | FL4,.03,16 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 包装方法 | TR |
| 端子面层 | Tin(Sn) |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 400µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 740µm |
| 长度 | 800µm |
| 座面最大高度 | 400µm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | , |
| 针数 | 4 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| 特征 | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87268 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 7797 | 0.400625 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
