在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S-24C32CI-I8T1U3 | ABLIC/艾普凌科 | 32KB I2C 2 WIRE | 0 | 1 卷 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | SNT-8A |
| 存储容量 | 32Kb （4K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 5ms |
| 存储器接口 | I²C |
| 访问时间 | 900ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.6V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | S-24C32C/64C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 时钟频率 | 400kHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 封装 | SNT-8A-8 |
| 包装 | Reel |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 32.768kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 4KX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 400kHz |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Additional Feature | 100YEARDATARETENTION |
| Data Retention Time-Min | 100 |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 4000 |
| Number of Words | 4.096k |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Serial Bus Type | I2C |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.6V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 5ms |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | VSOF |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE,VERYTHINPROFILE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 500µm |
| Length | 2.23mm |
| Width | 1.97mm |
| Ihs Manufacturer | ABLICINC |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | SNT-8 |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 32.768kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 4KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 400kHz |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 其他特性 | 100YEARDATARETENTION |
| 数据保留时间-最小值 | 100 |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 4000 |
| 字数 | 4.096k |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.6V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5ms |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VSOF |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE,VERYTHINPROFILE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 500µm |
| 长度 | 2.23mm |
| 宽度 | 1.97mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SNT-8 |
| 针数 | 8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 731 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 158.157900 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| J42FSC-02V-KX | JST | 12 | 3.616200 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
