在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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S-35720C02I-K8T2U | ABLIC/艾普凌科 | S 35720C02I K8T2U | 0 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | 8-TMSOP |
封装/外壳 | 8-WSSOP,8-MSOP(0.110",2.80mm 宽) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
电流 - 电源 | 0.7µA |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
电压 - 电源 | 1.8V ~ 5.5V |
系列 | AEC-Q100,S-35710 |
在线目录 | Programmable Timers and Oscillators |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
包装 | 剪切带(CT) |
包装 | Digi-Reel® |
封装 | TMSOP-8 |
类型 | Wake-Up Timer IC |
电源电压-最大 | 5.5 V |
电源电压-最小 | 1.8 V |
系列 | S-35710 I |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 85 C |
包装 | Reel, Cut Tape |
生命周期 | Active |
位数 | 24 |
计时器数量 | 1 |
表面贴装 | YES |
标称供电电压 | 3V |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | TIMER,PROGRAMMABLE |
技术 | CMOS |
最大供电电压 | 5.5V |
最小供电电压 | 1.8V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VSSOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
端子面层 | TIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 800µm |
宽度 | 2.8mm |
长度 | 2.9mm |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
包装说明 | TMSOP-8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HC14D | NEXPERIA | 35258 | 0.402210 |
74AHCT541PW | NEXPERIA | 30035 | 0.925980 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19865 | 0.239120 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC4050D | NEXPERIA | 1247 | 0.869860 |
74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |