在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S-812C52AY-Z2-U | ABLIC/艾普凌科 | 低压差稳压器 VOLTAGE REGULATOR | 0 | 1 卷 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 稳压器数 | 1 |
| 电流 - 输出 | 75mA |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） |
| 电压 - 输出（最小值/固定） | 5.2V |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 压降（最大值） | 0.25V @ 10mA |
| 电流 - 电源（最大值） | 2.5µA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 输出配置 | 正 |
| 输出类型 | 固定 |
| 电流 - 静态（Iq) | 500nA |
| 系列 | S-812C |
| 电压 - 输入（最大值） | 16V |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 带盒（TB） |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Input Voltage-Max | 16V |
| Input Voltage-Min | 6.2V |
| Output Voltage1-Nom | 5.2V |
| Dropout Voltage1-Nom | 120mV |
| Output Current1-Max | 75mA |
| Number of Outputs | 1 |
| Surface Mount | NO |
| Adjustability | FIXED |
| Dropout Voltage1-Max | 250mV |
| Input Voltage Absolute-Max | 18V |
| Line Regulation-Max | 0.02% |
| Load Regulation-Max | 0.08% |
| Number of Functions | 1 |
| Output Voltage1-Max | 5.304V |
| Output Voltage1-Min | 5.096V |
| Technology | CMOS |
| Voltage Tolerance-Max | 2% |
| JESD-30 Code | O-XBCY-T3 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 3 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Code | TO-92 |
| Package Equivalence Code | SIP3,.1,50 |
| Package Shape | ROUND |
| Package Style | CYLINDRICAL |
| Packing Method | AMMOPACK |
| Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Ihs Manufacturer | ABLICINC |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Feature | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87268 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 7797 | 0.400625 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
