在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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S-8366AABBA-I6T1U2 | ABLIC/艾普凌科 | 开关控制器 STEP-UP SWR 1.2MHZ PWM/PFM | 2522 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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拓扑 | 升压 |
功能 | 升压 |
电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 1.8V ~ 5.5V |
供应商器件封装 | SNT-6A |
同步整流器 | 无 |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
输出阶段 | 1 |
占空比(最大) | 90% |
时钟同步 | 无 |
零件状态 | 有源 |
输出数 | 1 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
输出配置 | 正 |
频率 - 开关 | 1.2MHz |
输出类型 | 晶体管驱动器 |
在线目录 | Boost (Step-Up) IC |
包装 | 带卷(TR) |
包装 | 剪切带(CT) |
包装 | Digi-Reel® |
Part Life Cycle Code | EndOfLife |
Input Voltage-Nom | 3.3V |
Input Voltage-Max | 5.5V |
Input Voltage-Min | 1.8V |
Surface Mount | YES |
Switcher Configuration | SINGLE |
Switching Frequency-Max | 1.4MHz |
Additional Feature | ALSOHASCONTROLTECHNIQUEOFPFM |
Analog IC - Other Type | SWITCHINGCONTROLLER |
Control Mode | CURRENT-MODE |
Control Technique | PULSEWIDTHMODULATION |
Number of Functions | 1 |
Technology | CMOS |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
JESD-609 Code | e3 |
Qualification Status | NotQualified |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Number of Terminals | 6 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | VSOF |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALLOUTLINE,VERYTHINPROFILE |
Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Pitch | 500µm |
Terminal Position | DUAL |
Width | 1.57mm |
Length | 1.6mm |
Seated Height-Max | 500µm |
Ihs Manufacturer | ABLICINC |
Part Package Code | SOIC |
Package Description | SNT-6 |
Pin Count | 6 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87268 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 7797 | 0.400625 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |