在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S1D15710D10B000 | EPSON/爱普生 | LCD Driver 224x65 display | 0 | 480 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 芯片 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 类型 | 显示驱动器 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 4（72 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 应用 | LCD 显示器 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 3V |
| Number of Segments | 289 |
| Data Input Mode | SERIAL/PARALLEL |
| Technology | CMOS |
| Display Mode | DOTMATRIX |
| fmax-Min | 26kHz |
| Interface IC Type | LIQUIDCRYSTALDISPLAYDRIVER |
| Multiplexed Display Capability | NO |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 1.8V |
| Surface Mount | YES |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-XUUC-N417 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 417 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Code | DIE |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | UNCASEDCHIP |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Position | UPPER |
| Ihs Manufacturer | SEIKOEPSONCORP |
| Package Description | DIE, |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Part Package Code | DIE |
| Pin Count | 417 |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 3V |
| 区段数 | 289 |
| 数据输入模式 | SERIAL/PARALLEL |
| 显示模式 | DOTMATRIX |
| 最小 fmax | 26kHz |
| 技术 | CMOS |
| 接口集成电路类型 | LIQUIDCRYSTALDISPLAYDRIVER |
| 复用显示功能 | NO |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 1.8V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N417 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 417 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIE |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASEDCHIP |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 零件包装代码 | DIE |
| 包装说明 | DIE, |
| 针数 | 417 |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.101861 |
| ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 3786 | 11.010713 |
| 74VHCT244AMTC | FSC | 3475 | 0.964320 |
| ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
| IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.472641 |
| ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 548 | 41.698552 |
| IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
| IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
| IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
| IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.831168 |
